FGH60N60UFDTU, Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 298W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Фото 1/2 FGH60N60UFDTU, Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 298W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 330 руб.
Мин. кол-во для заказа 24 шт.
от 30 шт.1 170 руб.
Добавить в корзину 24 шт. на сумму 31 920 руб.
Номенклатурный номер: 8002308373
Артикул: FGH60N60UFDTU

Описание

Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247AB Tube - Rail/Tube (Alt: FGH60N60UFDTU)

Технические параметры

Channel Type N
Collector Current (DC) 120(A)
Configuration Single
Gate to Emitter Voltage (Max) '±20(V)
Mounting Through Hole
Operating Temperature (Max) 150C
Operating Temperature (Min) -55C
Operating Temperature Classification Military
Package Type TO-247
Packaging Rail/Tube
Pin Count 3+Tab
Rad Hardened No
Brand: onsemi/Fairchild
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.8 V
Configuration: Single
Continuous Collector Current at 25 C: 120 A
Continuous Collector Current Ic Max: 60 A
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 30
Manufacturer: onsemi
Maximum Gate Emitter Voltage: -20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: Through Hole
Package/Case: TO-247AB-3
Packaging: Tube
Pd - Power Dissipation: 298 W
Product Category: IGBT Transistors
Product Type: IGBT Transistors
Series: FGH60N60UFD
Subcategory: IGBTs
Technology: Si
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 981 КБ
Документация
pdf, 455 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов