IXTN30N100L, Trans MOSFET N-CH 1KV 30A 4-Pin SOT-227B
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
574 шт., срок 6-8 недель
18 510 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
16 230 руб.
от 25 шт. —
15 760 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 37 020 руб.
Описание
Diodes, Transistors and Thyristors\FET Transistors\MOSFETs
Trans MOSFET N-CH 1KV 30A 4-Pin SOT-227B
Технические параметры
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single Dual Source |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 30 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 450@20V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 1000 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±30 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 800000 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Screw |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 4 |
| Pin Count | 4 |
| PPAP | No |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | SOT-227B |
| Typical Fall Time (ns) | 78 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 545@20V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 13700@25V |
| Typical Rise Time (ns) | 70 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 100 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 36 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 137 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
