IKP10N60T, Транзистор: IGBT; 600В; 10А; 110Вт; TO220AB

Ном. номер: 8002500181
PartNumber: IKP10N60T
Производитель: Infineon Technologies
IKP10N60T, Транзистор: IGBT; 600В; 10А; 110Вт; TO220AB
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
300 руб.
383 шт. со склада г.Москва,
срок 3-4 недели
от 3 шт. — 240 руб.
от 4 шт. — 188 руб.
от 24 шт. — 162.92 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
310 руб. 8 дней, 12 шт. 2 шт. 2 шт.
от 10 шт. — 210 руб.
233 руб. 3-5 недель, 2000 шт. 1 шт. 1 шт.
от 100 шт. — 167 руб.
240 руб. 2-4 недели, 350 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 186 руб.
от 100 шт. — 140 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 600 and 650V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Длина
10.36мм
Transistor Configuration
Одинарный
Производитель
Infineon
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
600 В
Максимальный непрерывный ток коллектора
20 А
Тип корпуса
TO-220
Максимальное рассеяние мощности
110 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Ширина
4.57мм
Высота
15.95мм
Число контактов
3
Размеры
10.36 x 4.57 x 15.95мм
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Тип канала
N
Вес, г
2.022

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.