VUB72-12NOXT, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-фазный диодный мост; Ic: 40А
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
12 800 руб.
от 3 шт. —
10 880 руб.
от 10 шт. —
9 670 руб.
от 24 шт. —
8 498.37 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 12 800 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete semiconductors modules\IGBT modules\Semiconductors
Описание Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-фазный диодный мост; Ic: 40А Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
Технические параметры
| Application | Inverter |
| Case | V1-A-Pack |
| Collector current | 40A |
| Electrical mounting | FASTON connectors |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Manufacturer | IXYS |
| Max. off-state voltage | 1.2kV |
| Mechanical mounting | screw |
| Power dissipation | 195W |
| Pulsed collector current | 105A |
| Semiconductor structure | diode/transistor |
| Type of module | IGBT |
| Вес, г | 37.35 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 358 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
