IRF520NPBF, Транзистор, N-канал 100В 9.7А [TO-220AB]
![Фото 1/7 IRF520NPBF, Транзистор, N-канал 100В 9.7А [TO-220AB]](https://static.chipdip.ru/lib/210/DOC001210842.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
130 руб.
от 15 шт. —
102 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 130 руб.
Описание
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages.
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9.7 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.2 Ом/5.7А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 48 | |
| Крутизна характеристики, S | 2.7 | |
| Корпус | TO-220AB | |
| Пороговое напряжение на затворе | 4 | |
| Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IRF520NPBF
pdf, 182 КБ
Datasheet IRF520NPBF
pdf, 173 КБ
Datasheet IRF520N
pdf, 122 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
