STI4N62K3, Транзистор: N-MOSFET, SuperMESH3™, полевой, 620В, 2А, 70Вт, I2PAK
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
207 шт., срок 7 недель
220 руб.
от 3 шт. —
130 руб.
от 10 шт. —
95 руб.
от 50 шт. —
83.41 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 220 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT
Описание Транзистор: N-MOSFET, SuperMESH3™, полевой, 620В, 2А, 70Вт, I2PAK Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Fall Time: | 19 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 3.8 A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TO-262-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 70 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 22 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2 Ohms |
| Rise Time: | 9 ns |
| Series: | STI4N62K3 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | SuperMESH |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 29 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 620 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.75 V |
| Вес, г | 1.51 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1040 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
