IRFZ44EPBF, Транзистор, N-канал 60В 48А [TO-220AB]
![Фото 1/8 IRFZ44EPBF, Транзистор, N-канал 60В 48А [TO-220AB]](https://static.chipdip.ru/lib/413/DOC005413066.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
160 руб.
от 15 шт. —
127 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 160 руб.
Описание
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages.
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 48 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.023 Ом/29А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 110 | |
| Крутизна характеристики, S | 15 | |
| Корпус | TO-220AB | |
| Пороговое напряжение на затворе | 4 | |
| Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 148 КБ
Datasheet IRFZ44EPBF
pdf, 156 КБ
Datasheet IRFZ44E
pdf, 151 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
