STF6N62K3, Транзистор: N-MOSFET; SuperMESH3™; полевой; 620В; 3А; 30Вт; TO220FP

STF6N62K3, Транзистор: N-MOSFET; SuperMESH3™; полевой; 620В; 3А; 30Вт; TO220FP
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Ном. номер: 8002524747
Артикул: STF6N62K3
Производитель: ST Microelectronics
190 руб.
53 шт. со склада г.Москва,
срок 3-4 недели
от 3 шт. — 160 руб.
от 10 шт. — 114 руб.
от 44 шт. — 101.14 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 190 руб.

Технические параметры

EU RoHS Compliant with Exemption
ECCN (US) EAR99
Part Status Active
Product Category Power MOSFET
Process Technology SuperMESH 3
Configuration Single
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Number of Elements per Chip 1
Maximum Drain Source Voltage (V) 620
Maximum Gate Source Voltage (V) ±30
Maximum Gate Threshold Voltage (V) 4.5
Maximum Continuous Drain Current (A) 5.5
Maximum Gate Source Leakage Current (nA) 9000
Maximum IDSS (uA) 0.8
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) 1200@10V
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) 34@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC) 34
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) 875@50V
Maximum Power Dissipation (mW) 30000
Typical Fall Time (ns) 20
Typical Rise Time (ns) 12
Typical Turn-Off Delay Time (ns) 49
Typical Turn-On Delay Time (ns) 22
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Packaging Tube
Automotive No
Supplier Package TO-220FP
Standard Package Name TO-220
Pin Count 3
Military No
Mounting Through Hole
Package Height 16.4(Max)
Package Length 10.4(Max)
Package Width 4.6(Max)
PCB changed 3
Tab Tab
Lead Shape Through Hole
Вес, г 1.692

Дополнительная информация

Datasheet STF6N62K3

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.