IRFP150M
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
450 руб.
от 2 шт. —
350 руб.
от 5 шт. —
273 руб.
от 10 шт. —
246.96 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 450 руб.
Описание
Электроэлемент
Описание Полевой транзистор IRFP150MPBF от известного производителя INFINEON – это высокомощное устройство в корпусе TO247AC, предназначенное для применения в силовой электронике. Данный N-MOSFET транзистор обладает током стока 42 А и напряжением сток-исток 100 В, что позволяет использовать его в различных схемах с высокими нагрузками. Мощность устройства составляет 160 Вт, а благодаря монтажу THT, его легко установить на печатные платы. Модель IRFP150MPBF гарантирует надежность и долговечность в эксплуатации, что делает её идеальным выбором для разработчиков и инженеров. Этот транзистор подойдет для усовершенствования существующих устройств или создания новых проектов в области силовой электроники. Внимание: при покупке проверьте маркировку на корпусе, она должна быть IRFP150MPBF без пробелов и специальных символов. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | THT |
| Ток стока, А | 42 |
| Напряжение сток-исток, В | 100 |
| Мощность, Вт | 160 |
| Корпус | TO247AC |
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 42A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1900pF @ 25V |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 160W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36mOhm @ 23A, 10V |
| Series | HEXFETВ® |
| Supplier Device Package | TO-247AC |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Id - непрерывный ток утечки | 42 A |
| Pd - рассеивание мощности | 160 W |
| Qg - заряд затвора | 110 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 36 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.8 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Высота | 20.7 mm |
| Длина | 15.87 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 400 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Торговая марка | Infineon / IR |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Ширина | 5.31 mm |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 42 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 36 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 160 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-247AC |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 110 nC @ 10 V |
| Width | 5.2mm |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
