IRF3205ZLPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 110А; 170Вт; TO262

Фото 2/2 IRF3205ZLPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 110А; 170Вт; TO262
Фото 1/2 IRF3205ZLPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 110А; 170Вт; TO262
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
98 шт. со склада г.Москва, срок 3-5 недель
240 руб.
от 3 шт.190 руб.
от 8 шт.130 руб.
от 38 шт.113.42 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 240 руб.
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8002564914
Артикул: IRF3205ZLPBF
Производитель: Infineon Technologies

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT
МОП-транзистор 55V 1 N-CH HEXFET 6.5mOhms 76nC

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 110 A
Pd - рассеивание мощности 170 W
Qg - заряд затвора 76 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 6.5 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 55 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 4 V
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 95 ns
Время спада 67 ns
Высота 9.45 mm
Длина 10.2 mm
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 71 S
Максимальная рабочая температура + 175 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 1000
Технология Si
Тип HEXFET Power MOSFET
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 45 ns
Типичное время задержки при включении 18 ns
Торговая марка Infineon / IR
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-262-3
Ширина 4.5 mm
Вес, г 1.589

Дополнительная информация

Datasheet IRF3205ZLPBF
Datasheet IRF3205ZLPBF

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах