IRF3205ZLPBF, Транзистор N-МОП, полевой, 55В, 110А, 170Вт, TO262

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

520 руб.

от 3 шт. — 410 руб.

от 10 шт. — 349 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 520 руб.

Номенклатурный номер: 8002564914

Артикул: IRF3205ZLPBF

This HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area.

Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	110 A
Maximum Drain Source Resistance	0.0065 Ω
Maximum Drain Source Voltage	55 V
Maximum Gate Threshold Voltage	4V
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	I2PAK(TO-262)
Pin Count	3
Series	HEXFET
Вес, г	1.225

pdf, 379 КБ

Мы рекомендуем