MMBF170, Транзистор, N-канал 60В 0.5А [SOT-23]
![Фото 1/4 MMBF170, Транзистор, N-канал 60В 0.5А [SOT-23]](https://static.chipdip.ru/lib/255/DOC005255375.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
27 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 27 руб.
Посмотреть аналоги2
Описание
Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology.
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.5 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 5 Ом/0.2А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.83 | |
| Корпус | SOT-23-3 | |
| Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 904 КБ
MMBF170
pdf, 1298 КБ
Документация
pdf, 903 КБ
BS170, MMBF170
pdf, 837 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
