IRF9540NLPBF, Транзистор P-МОП, полевой, -100В, -23А, 140Вт, TO262

Фото 1/2 IRF9540NLPBF, Транзистор P-МОП, полевой, -100В, -23А, 140Вт, TO262
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
300 руб.
от 3 шт.270 руб.
от 10 шт.236 руб.
от 50 шт.188.22 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 300 руб.
Номенклатурный номер: 8002620133
Артикул: IRF9540NLPBF
Страна происхождения: КИТАЙ
Бренд / Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

МОП-транзистор MOSFT PCh -100V -23A 117mOhm 64.7nC

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 23 A
Pd - рассеивание мощности 140 W
Qg - заряд затвора 64.7 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 117 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 100 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2.4 V
Вид монтажа Through Hole
Высота 9.45 mm
Длина 10.2 mm
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора P-Channel
Размер фабричной упаковки 1000
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 P-Channel
Торговая марка Infineon / IR
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-262-3
Ширина 4.5 mm
Automotive No
Channel Mode Enhancement
Channel Type P
Configuration Single
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant with Exemption
Lead Shape Through Hole
Maximum Continuous Drain Current (A) 23
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) 117 10V
Maximum Drain Source Voltage (V) 100
Maximum Gate Source Voltage (V) ±20
Maximum Operating Temperature (°C) 175
Maximum Power Dissipation (mW) 3100
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Mounting Through Hole
Number of Elements per Chip 1
Packaging Tube
Part Status Active
PCB changed 3
Pin Count 3
PPAP No
Process Technology HEXFET
Product Category Power MOSFET
Standard Package Name I2PAK
Supplier Package TO-262
Tab Tab
Typical Fall Time (ns) 51
Typical Gate Charge @ 10V (nC) 97(Max)
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) 97(Max)10V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) 1300 25V
Typical Rise Time (ns) 67
Typical Turn-Off Delay Time (ns) 51
Typical Turn-On Delay Time (ns) 15
Вес, г 1.55

Техническая документация

Datasheet IRF9540NLPBF
pdf, 328 КБ
Datasheet IRF9540NLPBF
pdf, 315 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов