FDS8447, Транзистор N-MOSFET, полевой, 40В, 12,8А, 2,5Вт, SO8, PowerTrench®
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
610 руб.
от 5 шт. —
350 руб.
от 25 шт. —
241 руб.
от 100 шт. —
201.75 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 610 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types.
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 12.8 A |
Maximum Drain Source Resistance | 10.5 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 2.5 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOIC |
Pin Count | 8 |
Series | PowerTrench |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 7 nC @ 10 V |
Width | 4mm |
Product Height | 1.5mm |
Product Length | 5mm |
Product Width | 3.99mm |
Supplier Package | SOIC |
Typical Fall Time | 7ns |
Typical Rise Time | 14ns |
Typical Turn-Off Delay Time | 27ns |
Typical Turn-On Delay Time | 11ns |
конфигурация | Single; Quad Drain, Triple Source |
максимальная рабочая температура | 150°C |
монтаж (установка) | Surface Mount |
разрешение | Power MOSFET |
Вес, г | 0.12 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов