BDX53CTU, Транзистор: NPN; биполярный; Дарлингтон; 100В; 8А; 60Вт; TO220AB

BDX53CTU, Транзистор: NPN; биполярный; Дарлингтон; 100В; 8А; 60Вт; TO220AB
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Ном. номер: 8002679550
Артикул: BDX53CTU
Производитель: ON Semiconductor
110 руб.
6 шт. со склада г.Москва,
срок 3-4 недели
Кратность заказа 3 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
66 руб. 7 дней, 320 шт. 10 шт. 10 шт.
от 20 шт. — 34 руб.
131 руб. 3-5 недель, 1805 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 115 руб.
от 25 шт. — 108 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Описание

Darlington NPN Transistors, Fairchild Semiconductor

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2 В
Максимальная рабочая температура +150 °C
Количество элементов на ИС 1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер 2,5 В
Длина 9.9мм
Transistor Configuration Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база 100 В
Максимальный запирающий ток коллектора 200 μA, 500 μA
Производитель ON Semiconductor
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) 100 В
Максимальный непрерывный ток коллектора 8 A
Тип корпуса TO-220
Максимальное рассеяние мощности 60 Вт
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Ширина 4.5мм
Тип транзистора NPN-NO/NC
Высота 15.95мм
Число контактов 3
Размеры 9.9 x 4.5 x 15.95мм
Максимальное напряжение эмиттер-база 5 В
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току 750
Вес, г 2.04

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.