STB55NF06LT4, Транзистор полевой N-канальный 60В 55А 95Вт

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

159 шт. со склада г.Москва, срок 12 дней

200 руб.

Мин. кол-во для заказа 3 шт.

от 15 шт. — 160 руб.

от 29 шт. — 145 руб.

от 58 шт. — 138 руб.

Добавить в корзину 3 шт. на сумму 600 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8002702725

Артикул: STB55NF06LT4

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

Транзистор полевой N-канальный 60В 55А 95Вт

Корпус	D2Pak(TO-263)
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	55 A
Maximum Drain Source Resistance	20 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	60 V
Maximum Gate Source Voltage	-16 V, +16 V
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Maximum Power Dissipation	95 W
Minimum Gate Threshold Voltage	1V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	D2PAK(TO-263)
Pin Count	3
Series	STripFET II
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	27 nC @ 4.5 V
Width	10.4mm
Brand:	STMicroelectronics
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	1000
Fall Time:	20 ns
Forward Transconductance - Min:	30 S
Id - Continuous Drain Current:	55 A
Manufacturer:	STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature:	+175 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Number of Channels:	1 Channel
Package/Case:	D2PAK-3(TO-263-3)
Pd - Power Dissipation:	95 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	37 nC
Qualification:	AEC-Q101
Rds On - Drain-Source Resistance:	14 mOhms
Rise Time:	100 ns
Series:	STB55NF06L
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel
Type:	MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time:	40 ns
Typical Turn-On Delay Time:	20 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	60 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-16 V, +16 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	1 V
Вес, г	1.2