MMIX1F40N110P, Транзистор: N-MOSFET, Polar™, полевой, 1,1кВ, 24А, Idm: 100А, 500Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
16 710 руб.
от 3 шт. —
14 710 руб.
от 10 шт. —
13 050 руб.
от 20 шт. —
11 501.87 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 16 710 руб.
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Описание Транзистор: N-MOSFET, Polar™, полевой, 1,1кВ, 24А, Idm: 100А, 500Вт Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Case | SMPD |
| Drain current | 24A |
| Drain-source voltage | 1.1kV |
| Gate charge | 310nC |
| Gate-source voltage | ±30V |
| Kind of channel | enhanced |
| Manufacturer | IXYS |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 0.29Ω |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 500W |
| Pulsed drain current | 100A |
| Reverse recovery time | 300ns |
| Technology | HiPerFET™, Polar™ |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 8.21 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
