FDB52N20TM

Фото 2/3 FDB52N20TMФото 3/3 FDB52N20TM
Фото 1/3 FDB52N20TM
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2 шт. со склада г.Москва
480 руб.
от 2 шт.390 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 480 руб.
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8002985026
Производитель: ON Semiconductor

Описание

Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.

Технические параметры

Maximum Operating Temperature +150 °C
Number of Elements per Chip 1
Length 9.98mm
Transistor Configuration Single
Brand ON Semiconductor
Maximum Continuous Drain Current 52 A
Package Type D2PAK (TO-263)
Maximum Power Dissipation 357 W
Series UniFET
Mounting Type Surface Mount
Minimum Operating Temperature -55 °C
Width 10.16mm
Minimum Gate Threshold Voltage 3V
Height 4.572mm
Maximum Drain Source Resistance 49 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 200 V
Pin Count 3
Typical Gate Charge @ Vgs 49 nC @ 10 V
Transistor Material Si
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Gate Source Voltage -30 V, +30 V
Id - непрерывный ток утечки 52 A
Pd - рассеивание мощности 250 W
Qg - заряд затвора 63 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 49 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 200 V
Vgs - напряжение затвор-исток 30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 3 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 160 ns
Время спада 150 ns
Высота 4.83 mm
Длина 10.67 mm
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 35 S
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 800
Серия FDB52N20
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 150 ns
Типичное время задержки при включении 30 ns
Торговая марка ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блок TO-263-3
Ширина 9.65 mm

Дополнительная информация

Datasheet FDB52N20TM
Datasheet FDB52N20TM

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах