FDB52N20TM
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 340 руб.
от 2 шт. —
1 220 руб.
от 3 шт. —
1 160 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 340 руб.
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 200В, 52А, 357Вт, D2PAK Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Brand | ON Semiconductor/Fairchild |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 800 |
| Fall Time | 150 ns |
| Forward Transconductance - Min | 35 S |
| Height | 4.83 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 52 A |
| Length | 10.67 mm |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-263-3 |
| Packaging | Reel |
| Pd - Power Dissipation | 250 W |
| Product Category | MOSFET |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 49 mOhms |
| Rise Time | 160 ns |
| RoHS | Details |
| Series | FDB52N20 |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 150 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 30 ns |
| Unit Weight | 0.046296 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 200 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| Width | 9.65 mm |
| Id - непрерывный ток утечки | 52 A |
| Pd - рассеивание мощности | 250 W |
| Qg - заряд затвора | 63 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 49 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 160 ns |
| Время спада | 150 ns |
| Высота | 4.83 mm |
| Длина | 10.67 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 35 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 800 |
| Серия | FDB52N20 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 150 ns |
| Типичное время задержки при включении | 30 ns |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Ширина | 9.65 mm |
| Case | D2PAK |
| Drain current | 52A |
| Drain-source voltage | 200V |
| Gate charge | 63nC |
| Gate-source voltage | ±30V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 49mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 357W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 1.312 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
