FDC606P

Фото 2/2 FDC606P
Фото 1/2 FDC606P
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
49 шт. со склада г.Москва
230 руб.
от 2 шт.150 руб.
от 5 шт.96 руб.
от 10 шт.77 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 230 руб.
Посмотреть альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8002985027
Производитель: ON Semiconductor

Описание

PowerTrench® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs employa shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generations.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuits or replace a higher voltage rating MOSFET.

Технические параметры

Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальный непрерывный ток стока 6 A
Тип корпуса SOT-23
Максимальное рассеяние мощности 1,6 Вт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Ширина 1.7мм
Высота 1мм
Размеры 3 x 1.7 x 1мм
Материал транзистора Кремний
Количество элементов на ИС 1
Длина 3мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 11 ns
Производитель ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения 89 ns
Серия PowerTrench
Минимальная рабочая температура -55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage 0.4V
Максимальное сопротивление сток-исток 53 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток 12 В
Число контактов 6
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 18 nC @ 4.5 V
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 1699 нКл при -6 В
Тип канала A, P, WRU
Максимальное напряжение затвор-исток -8 В, +8 В
Base Product Number FDC606 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
ECCN EAR99
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 4.5V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1699pF @ 6V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Tape & Reel (TR)Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Cut T
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Power Dissipation (Max) 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 6A, 4.5V
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series PowerTrenchВ® ->
Supplier Device Package SuperSOTв„ў-6
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250ВµA

Дополнительная информация

Datasheet FDC606P
Datasheet FDC606P

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах