FDC606P
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
77 шт. со склада г.Москва, срок 4-9 дней
610 руб.
от 2 шт. —
510 руб.
от 5 шт. —
438 руб.
от 10 шт. —
406.25 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 610 руб.
Номенклатурный номер: 8002985027
Бренд: Нет торговой марки
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор: P-MOSFET, полевой, -12В, -6А, 1,6Вт, SuperSOT-6 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Brand | ON Semiconductor/Fairchild |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single Quad Drain |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Fall Time | 10 ns |
| Forward Transconductance - Min | 25 S |
| Height | 1.1 mm |
| Id - Continuous Drain Current | -6 A |
| Length | 2.9 mm |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | SSOT-6 |
| Packaging | Cut Tape |
| Part # Aliases | FDC606P_NL |
| Pd - Power Dissipation | 1.6 W |
| Product | MOSFET Small Signal |
| Product Category | MOSFET |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 21 mOhms |
| Rise Time | 10 ns |
| RoHS | Details |
| Series | FDC606P |
| Technology | Si |
| Tradename | PowerTrench |
| Transistor Polarity | P-Channel |
| Transistor Type | 1 P-Channel |
| Type | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time | 89 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 11 ns |
| Unit Weight | 0.001058 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | -12 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 8 V |
| Width | 1.6 mm |
| Channel Type | P Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.026Ом |
| Power Dissipation | 1.6Вт |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 12В |
| Непрерывный Ток Стока | 6А |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 500мВ |
| Рассеиваемая Мощность | 1.6Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.026Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | SuperSOT |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Fall Time: | 10 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 25 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 6 A |
| Manufacturer: | onsemi |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | SSOT-6 |
| Part # Aliases: | FDC606P_NL |
| Pd - Power Dissipation: | 1.6 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Product: | MOSFET Small Signal |
| Qg - Gate Charge: | 25 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 21 mOhms |
| Rise Time: | 10 ns |
| Series: | FDC606P |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | PowerTrench |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Type: | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 89 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 11 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 12 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.5 V |
| Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
