FDC638APZ

Фото 2/2 FDC638APZ
Фото 1/2 FDC638APZ
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
28 шт. со склада г.Москва
180 руб.
от 2 шт.100 руб.
от 5 шт.56 руб.
от 10 шт.42 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 180 руб.
Посмотреть альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8002985029
Производитель: ON Semiconductor

Описание

PowerTrench® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs employa shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generations.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuits or replace a higher voltage rating MOSFET.

Технические параметры

Максимальная рабочая температура +150 °C
Количество элементов на ИС 1
Длина 3мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 6 нс
Производитель ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения 48 нс
Максимальный непрерывный ток стока 4.5 A
Тип корпуса SOT-23
Максимальное рассеяние мощности 1,6 Вт
Серия PowerTrench
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура -55 °C
Ширина 1.7мм
Высота 1мм
Minimum Gate Threshold Voltage 0.4V
Максимальное сопротивление сток-исток 72 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток 20 V
Число контактов 6
Размеры 3 x 1.7 x 1мм
Типичный заряд затвора при Vgs 8 nC @ 4.5 V
Материал транзистора Кремний
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 750 pF @ -10 V
Тип канала P
Максимальное напряжение затвор-исток -12 В, +12 В
Maximum Operating Temperature +150 °C
Максимальный непрерывный ток стока 4,5 A
Тип корпуса SOT-23
Maximum Power Dissipation 1,6 Вт
Mounting Type Поверхностный монтаж
Width 1.7мм
Height 1мм
Transistor Material Кремний
Number of Elements per Chip 1
Length 3мм
Конфигурация транзистора Одинарный
Brand ON Semiconductor
Серия PowerTrench
Минимальная рабочая температура -55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage 0.4V
Maximum Drain Source Resistance 72 мΩ
Maximum Drain Source Voltage 20 В
Pin Count 6
Typical Gate Charge @ Vgs 8 нКл при 4,5 В
Channel Mode Поднятие
Channel Type P
Maximum Gate Source Voltage -12 В, +12 В

Техническая документация

FDC638APZ
pdf, 475 КБ

Дополнительная информация

Datasheet FDC638APZ

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах