FDD13AN06A0

Фото 2/2 FDD13AN06A0
Фото 1/2 FDD13AN06A0
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
116 шт. со склада г.Москва
250 руб.
от 2 шт.160 руб.
от 5 шт.100 руб.
от 10 шт.80 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 250 руб.
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8002985031
Производитель: ON Semiconductor

Описание

The FDD13AN06A0 is a N-channel MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's PowerTrench® process. It is suitable for use in synchronous rectification and battery protection circuit application.

• Low miller charge
• Low Qrr body diode
• UIS Capability (single pulse and repetitive pulse)

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 50 A
Pd - рассеивание мощности 115 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 11.5 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 60 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 77 ns
Время спада 25 ns
Высота 2.39 mm
Длина 6.73 mm
Другие названия товара № FDD13AN06A0_NL
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение PowerTrench
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 175 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 2500
Серия FDD13AN06A0
Технология Si
Тип MOSFET
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 26 ns
Типичное время задержки при включении 9 ns
Торговая марка ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блок TO-252-3
Ширина 6.22 mm

Дополнительная информация

Datasheet FDD13AN06A0
Datasheet FDD13AN06A0

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах