FDD6N50FTM

FDD6N50FTM
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
19 шт. со склада г.Москва
250 руб.
от 2 шт.190 руб.
от 10 шт.120 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 250 руб.
Посмотреть альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8002985035
Производитель: ON Semiconductor

Технические параметры

Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальный непрерывный ток стока 5.5 A
Тип корпуса DPAK (TO-252)
Максимальное рассеяние мощности 89 Вт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Ширина 6.22мм
Высота 2.39мм
Размеры 6.73 x 6.22 x 2.39мм
Материал транзистора Кремний
Количество элементов на ИС 1
Длина 6.73мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 17 нс
Производитель ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения 33,4 нс
Серия UniFET
Минимальная рабочая температура -55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage 3V
Максимальное сопротивление сток-исток 1.15 Ω
Максимальное напряжение сток-исток 500 V
Число контактов 3
Типичный заряд затвора при Vgs 15 нКл при 10 В
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 720 pF @ 25 V
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -30 V, +30 V

Дополнительная информация

Datasheet FDD6N50FTM

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах