FDS8884
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
190 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
130 руб.
от 10 шт. —
106 руб.
от 100 шт. —
86.50 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 380 руб.
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 8,5А, 2,5Вт, SO8 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Brand | ON Semiconductor/Fairchild |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
| Factory Pack Quantity | 2500 |
| Fall Time | 21 ns |
| Height | 1.75 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 8.5 A |
| Length | 4.9 mm |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | SO-8 |
| Packaging | Reel |
| Pd - Power Dissipation | 2.5 W |
| Product Category | MOSFET |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 23 mOhms |
| Rise Time | 9 ns |
| RoHS | Details |
| Series | FDS8884 |
| Technology | Si |
| Tradename | PowerTrench |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 42 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 5 ns |
| Unit Weight | 0.004586 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Width | 3.9 mm |
| Id - непрерывный ток утечки | 8.5 A |
| Pd - рассеивание мощности | 2.5 W |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 23 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 9 ns |
| Время спада | 21 ns |
| Высота | 1.75 mm |
| Длина | 4.9 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | PowerTrench |
| Конфигурация | Single Quad Drain Triple Source |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Серия | FDS8884 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 42 ns |
| Типичное время задержки при включении | 5 ns |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка / блок | SO-8 |
| Ширина | 3.9 mm |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 8.5 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 23 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Power Dissipation | 2.5 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOIC |
| Pin Count | 8 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 9.2 nC @ 10 V |
| Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 305 КБ
Datasheet FDS8884
pdf, 387 КБ
Datasheet FDS8884
pdf, 415 КБ
Документация
pdf, 416 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
