FDS8884

Фото 2/3 FDS8884Фото 3/3 FDS8884
Фото 1/3 FDS8884
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
112 шт. со склада г.Москва
200 руб.
от 2 шт.110 руб.
от 5 шт.54 руб.
от 10 шт.37 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 200 руб.
Посмотреть альтернативные предложения4
Номенклатурный номер: 8002985057
Производитель: ON Semiconductor

Описание

PowerTrench® N-Channel MOSFET, up to 9.9A, Fairchild Semiconductor

Технические параметры

Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальный непрерывный ток стока 8,5 A
Тип корпуса SOIC
Максимальное рассеяние мощности 2.5 W
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Ширина 4мм
Высота 2мм
Размеры 5 x 4 x 1.5мм
Материал транзистора SI
Количество элементов на ИС 1
Длина 5мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 5 нс
Производитель ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения 42 нс
Серия PowerTrench
Минимальная рабочая температура -55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage 1.2V
Максимальное сопротивление сток-исток 23 мОм
Максимальное напряжение сток-исток 30 V
Число контактов 8
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 9,2 нКл при 10 В
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 475 пФ при -15 В
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -20 В, +20 В

Техническая документация

Datasheet FDS8884
pdf, 387 КБ

Дополнительная информация

Datasheet FDS8884

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах