FQB34N20LTM

7 шт. со склада г.Москва, срок 8-9 дней
3 170 руб.
от 2 шт.2 970 руб.
от 5 шт.2 840 руб.
от 7 шт.2 752.50 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 3 170 руб.
Номенклатурный номер: 8002985082
Бренд: Нет торговой марки

Описание

Электроэлемент
MOSFET, N, SMD, TO-263; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:31A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):0.075ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V; Power Dissipation Pd:180W; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins:2Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:Lead (27-Jun-2018); Current Id Max:31A; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Power Dissipation on 1" Sq. PCB:3.13W; Termination Type:Surface Mount Device; Voltage Vds Typ:200V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:2V

Технические параметры

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 31A(Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Family Transistors-FETs, MOSFETs-Single
FET Feature Logic Level Gate
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 72nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 3900pF @ 25V
Manufacturer Fairchild Semiconductor
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C(TJ)
Package / Case TO-263-3, D?Pak(2 Leads+Tab), TO-263AB
Packaging Digi-Reel®
Part Status Active
Power - Max 3.13W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75 mOhm @ 15.5A, 10V
Series QFET®
Standard Package 1
Supplier Device Package D?PAK
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Вес, г 5

Техническая документация

Datasheet FQB34N20LTM
pdf, 954 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.