FQB34N20LTM
7 шт. со склада г.Москва, срок 8-9 дней
3 170 руб.
от 2 шт. —
2 970 руб.
от 5 шт. —
2 840 руб.
от 7 шт. —
2 752.50 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 170 руб.
Номенклатурный номер: 8002985082
Бренд: Нет торговой марки
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N, SMD, TO-263; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:31A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):0.075ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V; Power Dissipation Pd:180W; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins:2Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:Lead (27-Jun-2018); Current Id Max:31A; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Power Dissipation on 1" Sq. PCB:3.13W; Termination Type:Surface Mount Device; Voltage Vds Typ:200V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:2V
Технические параметры
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 31A(Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Family | Transistors-FETs, MOSFETs-Single |
FET Feature | Logic Level Gate |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 72nC @ 5V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3900pF @ 25V |
Manufacturer | Fairchild Semiconductor |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
Package / Case | TO-263-3, D?Pak(2 Leads+Tab), TO-263AB |
Packaging | Digi-Reel® |
Part Status | Active |
Power - Max | 3.13W |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75 mOhm @ 15.5A, 10V |
Series | QFET® |
Standard Package | 1 |
Supplier Device Package | D?PAK |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Вес, г | 5 |
Техническая документация
Datasheet FQB34N20LTM
pdf, 954 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.