FQD16N25CTM

FQD16N25CTM
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
15 шт. со склада г.Москва
250 руб.
от 2 шт.160 руб.
от 5 шт.104 руб.
от 10 шт.84 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 250 руб.
Посмотреть альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8002985083
Производитель: ON Semiconductor

Описание

The FQD16N25CTM is a QFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC) and electronic lamp ballasts.

• 100% Avalanche tested
• 41nC Typical low gate charge
• 68pF Typical low Crss

Технические параметры

Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальный непрерывный ток стока 16 A
Тип корпуса DPAK (TO-252)
Максимальное рассеяние мощности 160 Вт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Ширина 6.1мм
Высота 2.3мм
Размеры 6.6 x 6.1 x 2.3мм
Материал транзистора SI
Количество элементов на ИС 1
Длина 6.6мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 15 нс
Производитель ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения 135 ns
Серия QFET
Минимальная рабочая температура -55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage 2V
Максимальное сопротивление сток-исток 270 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток 250 В
Число контактов 3
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 41 nC @ 10 V
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 830 пФ при 25 В
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -30 V, +30 V

Дополнительная информация

Datasheet FQD16N25CTM

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах