IRFM120ATF

Фото 2/3 IRFM120ATFФото 3/3 IRFM120ATF
Фото 1/3 IRFM120ATF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
16 шт. со склада г.Москва
200 руб.
от 2 шт.110 руб.
от 5 шт.56 руб.
от 10 шт.37 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 200 руб.
Посмотреть альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8002985093
Производитель: ON Semiconductor

Описание

Корпус TO261

Технические параметры

Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальный непрерывный ток стока 2.3 A
Тип корпуса SOT-223
Максимальное рассеяние мощности 2,4 Вт
Тип монтажа Surface Mount
Ширина 3.7мм
Высота 1.7мм
Размеры 6.7 x 3.7 x 1.7мм
Материал транзистора Кремний
Количество элементов на ИС 1
Длина 6.7мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 14 ns
Производитель ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения 36 ns
Минимальная рабочая температура -55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage 2V
Максимальное сопротивление сток-исток 200 мОм
Максимальное напряжение сток-исток 100 В
Число контактов 3+Tab
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 16 nC @ 10 V
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 370 пФ при 25 В
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -20 В, +20 В

Дополнительная информация

Datasheet IRFM120ATF

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах