2N3771G

Фото 2/4 2N3771GФото 3/4 2N3771GФото 4/4 2N3771G
Фото 1/4 2N3771G
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 шт. со склада г.Москва
850 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 850 руб.
Посмотреть альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8002985240
Производитель: ON Semiconductor

Описание

NPN Power Transistors, ON Semiconductor

Технические параметры

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage 4 V
Maximum Operating Temperature +200 °C
Maximum Operating Frequency 50 kHz
Number of Elements per Chip 1
Length 39.37mm
Maximum Collector Base Voltage 50 V
Transistor Configuration Single
Brand ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage 40 V
Package Type TO-204AA
Maximum Power Dissipation 150 W
Mounting Type Through Hole
Minimum Operating Temperature -65 °C
Width 26.67mm
Maximum DC Collector Current 30 A
Transistor Type NPN
Height 8.51mm
Pin Count 2
Dimensions 39.37 x 26.67 x 8.51mm
Maximum Emitter Base Voltage 5 V
Minimum DC Current Gain 5
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 4 В
Maximum Operating Temperature +200 °C
Maximum Operating Frequency 50 кГц
Количество элементов на ИС 1
Конфигурация транзистора Одинарный
Maximum Collector Base Voltage 50 В
Brand ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage 40 В
Package Type TO-204AA
Maximum Power Dissipation 150 Вт
Mounting Type Монтаж на плату в отверстия
Maximum DC Collector Current 30 A
Transistor Type NPN
Pin Count 2
Maximum Emitter Base Voltage 5 В
Dimensions 39.37 x 26.67 x 8.51мм
Pd - рассеивание мощности 150 W
Вид монтажа Through Hole
Высота 8.51 mm
Длина 39.37 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 15
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 30 A
Минимальная рабочая температура 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 40 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Непрерывный коллекторный ток 30 A
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 200 kHz
Размер фабричной упаковки 100
Серия 2N3771
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка ON Semiconductor
Упаковка Tray
Упаковка / блок TO-204-2
Ширина 26.67 mm
Base Product Number 2N3771 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 30A
Current - Collector Cutoff (Max) 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 15 @ 15A, 4V
ECCN EAR99
Frequency - Transition 200kHz
HTSUS 8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -65В°C ~ 200В°C (TJ)
Package Tray
Package / Case TO-204AA, TO-3
Power - Max 150W
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package TO-204 (TO-3)
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 4V @ 6A, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V

Дополнительная информация

Datasheet 2N3771G
Datasheet 2N3771G
Datasheet 2N3771G

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах