NTR4101PG
13 шт. со склада г.Москва, срок 4-9 дней
110 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
58 руб.
от 10 шт. —
41 руб.
от 13 шт. —
36.36 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 220 руб.
Номенклатурный номер: 8002985384
Бренд: Нет торговой марки
Описание
Электроэлемент
MOSFET, P, 20V, SOT-23; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:3.2A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):0.07ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs:-720mV; Power D
Технические параметры
| Brand | ON Semiconductor |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Fall Time | 12.6 ns |
| Forward Transconductance - Min | 7.5 S |
| Height | 0.94 mm |
| Id - Continuous Drain Current | -3.2 A |
| Length | 2.9 mm |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | SOT-23-3 |
| Packaging | Reel |
| Pd - Power Dissipation | 730 mW |
| Product | MOSFET Small Signal |
| Product Category | MOSFET |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 112 mOhms |
| Rise Time | 12.6 ns |
| RoHS | Details |
| Series | NTR4101P |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | P-Channel |
| Transistor Type | 1 P-Channel |
| Type | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time | 30.2 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 7.5 ns |
| Unit Weight | 0.050717 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | -20 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 8 V |
| Width | 1.3 mm |
| Вес, г | 0.0329 |
Техническая документация
Документация
pdf, 212 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
