PBSS5320T

PBSS5320T
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
11 шт. со склада г.Москва
180 руб.
от 2 шт.95 руб.
от 5 шт.48 руб.
от 10 шт.35 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 180 руб.
Номенклатурный номер: 8002985460
Производитель: NXP Semiconductor

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.3 V
Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальная рабочая частота 100 МГц
Количество элементов на ИС 1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер 1,2 В
Длина 3мм
Transistor Configuration Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база 20 V
Производитель Nexperia
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) 20 V
Тип корпуса SOT-23 (TO-236AB)
Максимальное рассеяние мощности 1,2 Вт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура -65 °C
Ширина 1.4мм
Максимальный пост. ток коллектора 2 A
Тип транзистора PNP
Высота 1мм
Число контактов 3
Максимальное напряжение эмиттер-база 5 В
Размеры 1 x 3 x 1.4мм
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току 100

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах