IXTH200N10T
2 шт. со склада г.Москва, срок 8-11 дней
3 430 руб.
от 2 шт. —
3 230 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 430 руб.
Описание
Электроэлемент
Gen1 Series - 55V - 300V Trench Gate Power MOSFETs with HiPerFET™ Options, TO-247, RoHS
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Continuous Drain Current | 200(A) |
| Drain-Source On-Volt | 100(V) |
| Mounting | Through Hole |
| Number of Elements | 1 |
| Operating Temp Range | -55C to 175C |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Package Type | TO-247 |
| Pin Count | 3+Tab |
| Polarity | N |
| Power Dissipation | 550(W) |
| Rad Hardened | No |
| Type | Power MOSFET |
| Вес, г | 9.083 |
Техническая документация
Datasheet IXTH200N10T
pdf, 173 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
