PHE13009

PHE13009
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
117 шт. со склада г.Москва
260 руб.
от 2 шт.170 руб.
от 5 шт.106 руб.
от 10 шт.84 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 260 руб.
Номенклатурный номер: 8002986121
Производитель: NXP Semiconductor

Описание

High Voltage Transistors, WeEn Semiconductors

Технические параметры

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage 2 V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Operating Frequency 60 Гц
Number of Elements per Chip 1
Maximum Base Emitter Saturation Voltage 1.6 V
Length 10.3мм
Maximum Collector Base Voltage 700 V
Transistor Configuration Одиночный
Brand WeEn Semiconductors Co., Ltd
Maximum Collector Emitter Voltage 700 V
Package Type TO-220AB
Maximum Power Dissipation 80 W
Mounting Type Монтаж на плату в отверстия
Width 4.5мм
Maximum DC Collector Current 12 А
Transistor Type NPN
Height 15.8мм
Pin Count 3
Dimensions 10.3 x 4.5 x 15.8mm
Minimum DC Current Gain 6

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах