BD139G

Фото 2/4 BD139GФото 3/4 BD139GФото 4/4 BD139G
Фото 1/4 BD139G
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
159 шт. со склада г.Москва
200 руб.
от 2 шт.120 руб.
от 5 шт.68 руб.
от 10 шт.49 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 200 руб.
Посмотреть альтернативные предложения4
Посмотреть аналоги15
Номенклатурный номер: 8002986543
Производитель: ON Semiconductor

Описание

• High DC current gain
• Halogen-free

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0,5 В
Максимальная рабочая температура +150 °C
Количество элементов на ИС 1
Длина 7.74мм
Максимальное напряжение коллектор-база 80 V
Transistor Configuration Одинарный
Производитель ON Semiconductor
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) 80 V
Тип корпуса TO-225
Максимальное рассеяние мощности 1,25 W
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура -55 °C
Ширина 2.66мм
Максимальный пост. ток коллектора 1.5 A
Тип транзистора NPN
Высота 11.04мм
Число контактов 3
Максимальное напряжение эмиттер-база 5 В
Размеры 11.04 x 7.74 x 2.66мм
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току 25
EU RoHS Compliant
ECCN (US) EAR99
Part Status Active
HTS 8541.29.00.95
Type NPN
Product Category Bipolar Power
Material Si
Configuration Single
Number of Elements per Chip 1
Maximum Collector Base Voltage (V) 80
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 80
Maximum Emitter Base Voltage (V) 5
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 0.5@0.05A@0.5A
Maximum DC Collector Current (A) 1.5
Maximum Collector Cut-Off Current (nA) 100
Minimum DC Current Gain 25@0.005A@2V|40@0.15A@2V|25@0.5A@2V
Maximum Power Dissipation (mW) 1250
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Packaging Box
Automotive No
Supplier Package TO-225
Pin Count 3
Military No
Mounting Through Hole
Package Height 11.04(Max)
Package Length 7.74(Max)
Package Width 2.66(Max)
PCB changed 3
Tab Tab
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0,5 В
Maximum Operating Temperature +150 °C
Количество элементов на ИС 1
Transistor Configuration Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база 80 В
Brand ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage 80 В
Package Type TO-225
Maximum Power Dissipation 1,25 Вт
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Maximum DC Collector Current 1,5 A
Тип транзистора NPN
Pin Count 3
Maximum Emitter Base Voltage 5 В
Dimensions 11.04 x 7.74 x 2.66мм
Pd - рассеивание мощности 1.25 W
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 11.04 mm
Длина 7.74 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 25
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 1.5 A
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 80 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 80 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.5 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Непрерывный коллекторный ток 1.5 A
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Размер фабричной упаковки 500
Серия BD139
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка ON Semiconductor
Упаковка Bulk
Упаковка / блок TO-225-3
Ширина 2.66 mm
Base Product Number BD139 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 150mA, 2V
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Bulk
Package / Case TO-225AA, TO-126-3
Power - Max 12.5W
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package TO-225AA
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V

Дополнительная информация

Datasheet BD139G
Datasheet BD139G
Datasheet BD139G
Datasheet BD139G

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах