Категория	Транзистор
Тип	биполярный
Вид	NPN

Brand	ON Semiconductor
Collector- Base Voltage VCBO	80 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	80 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	0.5 V
Configuration	Single
Continuous Collector Current	1.5 A
DC Collector/Base Gain hfe Min	25
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V
Factory Pack Quantity	500
Height	11.04 mm
Length	7.74 mm
Manufacturer	ON Semiconductor
Maximum DC Collector Current	1.5 A
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	TO-225-3
Packaging	Bulk
Pd - Power Dissipation	1.25 W
Product Category	Bipolar Transistors-BJT
RoHS	Details
Series	BD139
Transistor Polarity	NPN
Width	2.66 mm
Pd - рассеивание мощности	1.25 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	11.04 mm
Длина	7.74 mm
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	25
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	1.5 A
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	80 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	80 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.5 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Непрерывный коллекторный ток	1.5 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Размер фабричной упаковки	500
Серия	BD139
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка	Bulk
Упаковка / блок	TO-225-3
Ширина	2.66 mm
Product Type	BJTs-Bipolar Transistors
Subcategory	Transistors
Maximum Collector Base Voltage	80 V
Maximum Collector Emitter Voltage	80 V
Maximum Emitter Base Voltage	5 V
Maximum Power Dissipation	1.25 W
Minimum DC Current Gain	40
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-225
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Type	NPN
Вес, г	0.68

BD139G

Описание

Технические параметры

Техническая документация

Дополнительная информация