BD140G

Фото 2/4 BD140GФото 3/4 BD140GФото 4/4 BD140G
Фото 1/4 BD140G
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
117 шт. со склада г.Москва
220 руб.
от 2 шт.130 руб.
от 5 шт.70 руб.
от 10 шт.50 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 220 руб.
Посмотреть альтернативные предложения3
Посмотреть аналоги7
Номенклатурный номер: 8002986545
Производитель: ON Semiconductor

Описание

• Complementary with BD139

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.5 V dc
Максимальная рабочая температура +150 °C
Number of Elements per Chip 1
Length 7.8мм
Transistor Configuration Одинарный
Maximum Collector Base Voltage 100 V dc
Brand ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage 80 V dc
Package Type TO-225
Максимальное рассеяние мощности 12,5 Вт
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Minimum Operating Temperature -55 °C
Width 3мм
Максимальный пост. ток коллектора 1,5 A
Transistor Type PNP
Height 11.1мм
Число контактов 3
Maximum Emitter Base Voltage 5 V dc
Размеры 7.8 x 3 x 11.1мм
Transistor Material Кремний
Minimum DC Current Gain 25
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage 0,5 В пост. тока
Maximum Operating Temperature +150 °C
Количество элементов на ИС 1
Конфигурация транзистора Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база 100 В пост. тока
Brand ON Semiconductor
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) 80 V dc
Тип корпуса TO-225
Максимальное рассеяние мощности 12,5 Вт
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Максимальный пост. ток коллектора 1,5 A
Transistor Type PNP
Pin Count 3
Maximum Emitter Base Voltage 5 V dc
Dimensions 7.8 x 3 x 11.1мм
Pd - рассеивание мощности 1.25 W
Вид монтажа Through Hole
Высота 11.04 mm (Max)
Длина 7.74 mm (Max)
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 25
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 1.5 A
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 80 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 80 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.5 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Непрерывный коллекторный ток 1.5 A
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора PNP
Размер фабричной упаковки 500
Серия BD140
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка ON Semiconductor
Упаковка Bulk
Упаковка / блок TO-225-3
Ширина 2.66 mm (Max)
Base Product Number BD140 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 150mA, 2V
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Bulk
Package / Case TO-225AA, TO-126-3
Power - Max 1.25W
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package TO-225AA
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V

Дополнительная информация

Datasheet BD140G
Datasheet BD140G
Datasheet BD140G

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах