Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › ON Semiconductor › BD180G

BD180G

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

580 руб.

от 2 шт. — 490 руб.

от 5 шт. — 416 руб.

от 10 шт. — 386.25 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 580 руб.

Номенклатурный номер: 8002986548

Бренд: ON Semiconductor***

Описание

Электроэлемент

TRANSISTOR, PNP, TO-126; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-80V; Transition Frequency ft:3MHz; Power Dissipation Pd:30W; DC Collector Current:3A; DC Current Gain hFE:40hFE; Transistor Case Style:TO-225AA; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018); Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):-800mV; Continuous Collector Current Ic Max:3A; Current Ic Continuous a Max:3A; Current Ic hFE:150mA; DC Current Gain Hfe Max:250; DC Current Gain Hfe Min:40; Full Power Rating Temperature:25°C; Gain Bandwidth ft Min:3MHz; Gain Bandwidth ft Typ:3MHz; Hfe Min:40; No. of Transistors:1; Operating Temperature Min:-65°C; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Power Dissipation Ptot Max:30W; Voltage Vcbo:80V

Технические параметры

Category	Bipolar Power
Collector Current (DC)	1(A)
Collector Current (DC) (Max)	1 A
Collector-Base Voltage	80(V)
Collector-Emitter Voltage	80(V)
Configuration	Single
DC Current Gain	15
DC Current Gain (Min)	15
Emitter-Base Voltage	5(V)
Frequency	3(MHz)
Frequency (Max)	3 MHz
Mounting	Through Hole
Number of Elements	1
Operating Temp Range	-65C to 150C
Operating Temperature Classification	Military
Output Power	Not Required(W)
Package Type	TO-225
Packaging	Box
Pin Count	3+Tab
Power Dissipation	30(W)
Rad Hardened	No
Transistor Polarity	PNP
Pd - рассеивание мощности	30 W
Вид монтажа	Through Hole
Высота	11.04 mm (Max)
Длина	7.74 mm (Max)
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	15
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	1 A
Минимальная рабочая температура	65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	80 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	80 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.8 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Непрерывный коллекторный ток	1 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	3 MHz
Размер фабричной упаковки	500
Серия	BD180
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка	Bulk
Упаковка / блок	TO-225-3
Ширина	2.66 mm (Max)
Collector Emitter Voltage Max	80В
Continuous Collector Current	3А
DC Current Gain hFE Min	40hFE
DC Усиление Тока hFE	40hFE
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Монтаж транзистора	Through Hole
Стиль Корпуса Транзистора	TO-225AA
Частота Перехода ft	3МГц
Automotive	No
ECCN (US)	EAR99
Lead Shape	Through Hole
Material	Si
Maximum Collector Base Voltage (V)	80
Maximum Collector Cut-Off Current (nA)	1000000
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)	0.8@0.1A@1A
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)	80
Maximum DC Collector Current (A)	1
Maximum Emitter Base Voltage (V)	5
Maximum Operating Temperature (°C)	150
Maximum Power Dissipation (mW)	30000
Maximum Transition Frequency (MHz)	3(Min)
Minimum DC Current Gain	15@1A@2V
Minimum Operating Temperature (°C)	-65
Number of Elements per Chip	1
Part Status	Active
PCB changed	3
PPAP	No
Product Category	Bipolar Power
Standard Package Name	TO
Supplier Package	TO-225
Tab	Tab
Type	PNP
Maximum Collector Base Voltage	80 V
Maximum Collector Emitter Voltage	-80 V
Maximum DC Collector Current	-1 A
Maximum Emitter Base Voltage	5 V
Maximum Operating Frequency	3 MHz
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	30 W
Mounting Type	Through Hole
Transistor Configuration	Single
Transistor Type	PNP
Вес, г	0.64