BD681G

Фото 2/5 BD681GФото 3/5 BD681GФото 4/5 BD681GФото 5/5 BD681G
Фото 1/5 BD681G
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
6 шт. со склада г.Москва
210 руб.
от 2 шт.130 руб.
от 5 шт.78 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 210 руб.
Посмотреть альтернативные предложения5
Посмотреть аналоги4
Номенклатурный номер: 8002986558
Производитель: ON Semiconductor

Описание

NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2,5 В
Максимальная рабочая температура +150 °C
Количество элементов на ИС 1
Длина 7.74мм
Максимальное напряжение коллектор-база 100 В
Transistor Configuration Одинарный
Максимальный запирающий ток коллектора 0.2mA
Производитель ON Semiconductor
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) 100 В
Максимальный непрерывный ток коллектора 4 А
Тип корпуса TO-225
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура -55 °C
Ширина 2.66мм
Тип транзистора NPN
Высота 11.04мм
Число контактов 3
Размеры 7.74 x 2.66 x 11.04мм
Максимальное напряжение эмиттер-база 5 В
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току 750
EU RoHS Compliant
ECCN (US) EAR99
Part Status Active
HTS 8541.29.00.95
Type NPN
Configuration Single
Number of Elements per Chip 1
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 100
Maximum Collector Base Voltage (V) 100
Maximum Emitter Base Voltage (V) 5
Maximum Continuous DC Collector Current (A) 4
Maximum Collector Cut-Off Current (uA) 200
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 2.5@30mA@1.5A
Minimum DC Current Gain 750@1.5A@3V
Maximum Power Dissipation (mW) 40000
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Packaging Box
Automotive No
Pin Count 3
Supplier Package TO-225
Military No
Mounting Through Hole
Package Height 11.04(Max)
Package Length 7.74(Max)
Package Width 2.66(Max)
PCB changed 3
Tab Tab
Base Product Number BD681 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 4A
Current - Collector Cutoff (Max) 500ВµA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 750 @ 1.5A, 3V
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Bulk
Package / Case TO-225AA, TO-126-3
Power - Max 40W
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package TO-225AA
Transistor Type NPN - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 2.5V @ 30mA, 1.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V

Техническая документация

BD675_D-1802630
pdf, 140 КБ

Дополнительная информация

Datasheet BD681G
Datasheet BD681G
Datasheet BD681G

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах