2SC5707-E
270 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
210 руб.
от 10 шт. —
188 руб.
от 33 шт. —
170 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 540 руб.
Описание
Электроэлемент
TRANSISTOR, NPN, 50V, 8A, TO-251-3; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Transition Frequency ft:330MHz; Power Dissipation Pd:15W; DC Collector Current:8A; DC Current Gain hFE:200hFE; Transistor Case Style:TO-251; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:Lead (27-Jun-2018)
Технические параметры
Brand | ON Semiconductor |
Collector- Base Voltage VCBO | 100 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 50 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 160 mV, 110 mV |
Configuration | Single |
Continuous Collector Current | 8 A |
DC Collector/Base Gain hfe Min | 200 |
Emitter- Base Voltage VEBO | 6 V |
Factory Pack Quantity | 500 |
Gain Bandwidth Product fT | 330 MHz |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Maximum DC Collector Current | 11 A |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | Through Hole |
Package / Case | TO-251-3 |
Packaging | Bulk |
Pd - Power Dissipation | 15 W |
Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
RoHS | Details |
Series | 2SC5707 |
Transistor Polarity | NPN |
Unit Weight | 0.139332 oz |
Вес, г | 0.34 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 430 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов