IRF1404ZPBF, Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
250 руб.
Мин. кол-во для заказа 150 шт.
от 303 шт. —
240 руб.
от 858 шт. —
221 руб.
Добавить в корзину 150 шт.
на сумму 37 500 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки: | 180 A |
| Pd - рассеивание мощности: | 200 W |
| Qg - заряд затвора: | 100 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток: | 2.7 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток: | 40 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : | 2 V |
| Время нарастания: | 110 ns |
| Время спада: | 58 ns |
| Количество каналов: | 1 Channel |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: | 170 S |
| Полярность транзистора: | N-Channel |
| Рабочая температура: | -55 C+175 C |
| Типичное время задержки выключения: | 36 ns |
| Типичное время задержки при включении: | 18 ns |
| Brand | Infineon Technologies |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 550 |
| Fall Time | 58 ns |
| Forward Transconductance - Min | 170 S |
| Height | 15.65 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 180 A |
| Length | 10 mm |
| Manufacturer | Infineon |
| Maximum Operating Temperature | +175 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Packaging | Tube |
| Pd - Power Dissipation | 200 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 100 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 2.7 mOhms |
| Rise Time | 110 ns |
| RoHS | Details |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 36 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 18 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 40 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4 V |
| Width | 4.4 mm |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 190 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 4 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Power Dissipation | 220 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220AB |
| Pin Count | 3 |
| Series | HEXFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 100 nC @ 10 V |
| Диапазон рабочих температур | -55…+175 °С |
| Емкость, пФ | 4340 |
| Заряд затвора, нКл | 150 |
| Максимально допустимое напряжение | затвор-исток(Vgs)±20 В |
| Максимальное напряжение сток-исток, В | 40 |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 180 |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 2.7 |
| Мощность | рассеиваемая(Pd)-200 Вт |
| Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-2В |
| Описание | 40V, 180A N-Channel MOSFET |
| Способ монтажа | Through Hole |
| Тип | MOSFET |
| Тип проводимости | N |
| Упаковка | TUBE, 100 шт. |
| Вес, кг | 177 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 332 КБ
IRF1404ZPBF
pdf, 319 КБ
Документация
pdf, 303 КБ
Datasheet IRF1404ZPBF
pdf, 401 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
