IRFP250PBF, Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
280 руб.
Мин. кол-во для заказа 140 шт.
от 247 шт. —
270 руб.
Добавить в корзину 140 шт.
на сумму 39 200 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 200В, 19А, 190Вт, TO247AC Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.085Ом |
| Power Dissipation | 180Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 200В |
| Непрерывный Ток Стока | 30А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Рассеиваемая Мощность | 180Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.085Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247AC |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 30A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 140nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2800pF @ 25V |
| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 190W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 18A, 10V |
| Series | - |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Channel Mode | Enhancement |
| Maximum Continuous Drain Current | 30 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 85 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 200 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 190 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-247AC |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 140 nC @ 10 V |
| Width | 5.31mm |
| Automotive | No |
| Configuration | Single |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Lead Shape | Through Hole |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 30 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 85@10V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 200 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 190000 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Through Hole |
| PCB changed | 3 |
| PPAP | No |
| Product Category | Power MOSFET |
| Standard Package Name | TO-247 |
| Supplier Package | TO-247AC |
| Tab | Tab |
| Typical Fall Time (ns) | 62 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 140(Max) |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 140(Max)@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 2800@25V |
| Typical Rise Time (ns) | 86 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 70 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 16 |
| Вес, кг | 193 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 516 КБ
Datasheet
pdf, 1458 КБ
Datasheet
pdf, 1458 КБ
Datasheet
pdf, 1458 КБ
Datasheet
pdf, 793 КБ
Документация
pdf, 785 КБ
Datasheet IRFP250, SiHFP250
pdf, 1458 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
