Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Vishay › IRF9540SPBF, Trans MOSFET P-CH 100V 19A ...

IRF9540SPBF, Trans MOSFET P-CH 100V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

170 руб.

Мин. кол-во для заказа 230 шт.

от 415 шт. — 160 руб.

Добавить в корзину 230 шт. на сумму 39 100 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8003193195

Артикул: IRF9540SPBF

Бренд: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET

Описание Транзистор P-MOSFET, полевой, -100В, -13А, 150Вт, D2PAK Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	MOSFET

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки	19 A
Pd - рассеивание мощности	150 W
Qg - заряд затвора	61 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	200 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	100 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	73 ns
Время спада	57 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	6.2 S
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	P-Channel
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	IRF
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 P-Channel
Типичное время задержки выключения	34 ns
Типичное время задержки при включении	16 ns
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-252-3
Automotive	No
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	P
Configuration	Single
ECCN (US)	EAR99
EU RoHS	Compliant with Exemption
Maximum Continuous Drain Current (A)	19
Maximum Drain Source Resistance (MOhm)	200 10V
Maximum Drain Source Voltage (V)	100
Maximum Gate Source Voltage (V)	±20
Maximum Operating Temperature (°C)	175
Maximum Power Dissipation (mW)	150000
Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Mounting	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Part Status	Active
PCB changed	2
Pin Count	3
PPAP	No
Product Category	Power MOSFET
Standard Package Name	TO-263
Supplier Package	D2PAK
Tab	Tab
Typical Fall Time (ns)	57
Typical Gate Charge @ 10V (nC)	61(Max)
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)	61(Max)10V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)	1400 25V
Typical Rise Time (ns)	73
Typical Turn-Off Delay Time (ns)	34
Typical Turn-On Delay Time (ns)	16
Maximum Continuous Drain Current	19 A
Maximum Drain Source Resistance	200 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	100 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Maximum Power Dissipation	150 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Package Type	D2PAK(TO-263)
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	61 nC @ 10 V
Width	9.65mm
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	19A(Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
FET Feature	-
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	61nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1400pF @ 25V
Manufacturer	Vishay Siliconix
Operating Temperature	-55В°C ~ 175В°C(TJ)
Package / Case	TO-263-3, DВІPak(2 Leads+Tab), TO-263AB
Packaging	Cut Tape(CT)
Power Dissipation (Max)	3.7W(Ta), 150W(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	200mOhm @ 11A, 10V
Series	-
Supplier Device Package	D2PAK
Technology	MOSFET(Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250ВµA
Вес, кг	193