IRLB8743PBF, Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
180 руб.
Мин. кол-во для заказа 210 шт.
от 428 шт. —
170 руб.
от 1211 шт. —
157 руб.
Добавить в корзину 210 шт.
на сумму 37 800 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 150А, 140Вт, TO220AB Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 150 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 3 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.35V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 140 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.35V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220AB |
| Pin Count | 3 |
| Series | HEXFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 36 nC @ 4.5 V |
| Width | 4.83mm |
| Вес, кг | 278 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
