BC847BW,115, Биполярный транзистор

Фото 2/8 BC847BW,115, Биполярный транзисторФото 3/8 BC847BW,115, Биполярный транзисторФото 4/8 BC847BW,115, Биполярный транзисторФото 5/8 BC847BW,115, Биполярный транзисторФото 6/8 BC847BW,115, Биполярный транзисторФото 7/8 BC847BW,115, Биполярный транзисторФото 8/8 BC847BW,115, Биполярный транзистор
Фото 1/8 BC847BW,115, Биполярный транзистор
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Ном. номер: 8003355550
Артикул: BC847BW,115
Производитель: Nexperia
8 руб.
3000 шт. со склада г.Москва
от 200 шт. — 3 руб.
от 400 шт. — 2.10 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
4 руб. 221 шт. 1 шт. 1 шт.
от 100 шт. — 2.60 руб.
от 1000 шт. — 1.90 руб.
1 руб. 8-10 дней, 1345 шт. 1 шт. 15 шт.
от 1000 шт. — 0.97 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Описание

The BC847 series NPN general purpose Transistor in SMD plastic package.

• AEC-Q101 Qualified

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0,4 В
Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальная рабочая частота 100 МГц
Количество элементов на ИС 1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер 0,9 В
Длина 2.2мм
Максимальное напряжение коллектор-база 50 V
Transistor Configuration Одинарный
Производитель Nexperia
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) 45 В
Тип корпуса UMT
Максимальное рассеяние мощности 200 mW
Тип монтажа Surface Mount
Минимальная рабочая температура -65 °C
Ширина 1.35мм
Максимальный пост. ток коллектора 100 mA
Тип транзистора NPN
Высота 1мм
Число контактов 3
Максимальное напряжение эмиттер-база 6 В
Размеры 1 x 2.2 x 1.35мм
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току 200

Техническая документация

BC847BW datasheet
pdf, 53 КБ
BC847_SER
pdf, 271 КБ

Дополнительная информация

Datasheet BC847BW,115

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах