L8550HRLT1G, 150nA 25V 225mW 1500mA 500mV@800mA,80mA PNP -55-~+150-@(Tj) SOT-23-3 Bipolar Transistors - BJT
380 шт., срок 7 недель
7 руб.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт. —
5 руб.
Добавить в корзину 20 шт.
на сумму 140 руб.
Описание
25V 225mW 1.5A PNP SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 1.5A |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 150nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 25V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@800mA, 80mA |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 225mW |
| Transistor Type | PNP |
| Transition Frequency (fT) | - |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 25V |
| Manufacturer | Leshan Radio |
| Maximum DC Collector Current | 1.5A |
| Pd - Power Dissipation | 225mW |
| Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet L8550HRLT1G
pdf, 84 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
