L2N7002FLT1G
1140 шт., срок 7-9 недель
4 руб.
Мин. кол-во для заказа 120 шт.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт. —
3 руб.
от 600 шт. —
2.20 руб.
Добавить в корзину 120 шт.
на сумму 480 руб.
Номенклатурный номер: 8022873023
Бренд: Leshan Radio Co
Описание
30V 220mA 225mW 8Ω@4V,10mA 1.5V@250uA N Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
Технические параметры
Manufacturer | Leshan Radio |
Power Dissipation-Max (Ta=25°C) | 225mW |
Rds On - Drain-Source Resistance | 8Ω 10mA, 4V |
Transistor Polarity | N Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 1.5V 250uA |
Continuous Drain Current (Id) | 220mA |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 8Ω@4V, 10mA |
Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA |
Power Dissipation (Pd) | 225mW |
Type | N Channel |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 407 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.