L2N7002FLT1G

1140 шт., срок 7-9 недель
4 руб.
Мин. кол-во для заказа 120 шт.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт.3 руб.
от 600 шт.2.20 руб.
Добавить в корзину 120 шт. на сумму 480 руб.
Номенклатурный номер: 8022873023
Бренд: Leshan Radio Co

Описание

30V 220mA 225mW 8Ω@4V,10mA 1.5V@250uA N Channel SOT-23 MOSFETs ROHS

Технические параметры

Manufacturer Leshan Radio
Power Dissipation-Max (Ta=25°C) 225mW
Rds On - Drain-Source Resistance 8Ω 10mA, 4V
Transistor Polarity N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 30V
Vgs - Gate-Source Voltage 1.5V 250uA
Continuous Drain Current (Id) 220mA
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 8Ω@4V, 10mA
Drain Source Voltage (Vdss) 30V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 1.5V@250uA
Power Dissipation (Pd) 225mW
Type N Channel

Техническая документация

Datasheet
pdf, 407 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.