2SC2712-GR, 50V 150mW 150mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT
12300 шт., срок 7 недель
6 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
4 руб.
от 3000 шт. —
2.40 руб.
от 6000 шт. —
2.12 руб.
Добавить в корзину 50 шт.
на сумму 300 руб.
Описание
50V 150mW 150mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 150mA |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 250mV@10mA, 100mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 200@2mA, 6V |
Power Dissipation (Pd) | 200mW |
Transistor Type | NPN |
Transition Frequency (fT) | 80MHz |
Collector-Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Maximum DC Collector Current | 150mA |
Pd - Power Dissipation | 150mW |
Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet 2SC2712-GR
pdf, 918 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.