L2N7002DW1T1G, 60V 115mA 7.5-@10V,500mA 380mW 2V@250uA 2 N-Channel SC-88 MOSFETs
29820 шт., срок 7 недель
11 руб.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт. —
7 руб.
от 600 шт. —
4.80 руб.
от 3000 шт. —
4.10 руб.
Добавить в корзину 20 шт.
на сумму 220 руб.
Описание
60V 115mA 7.5Ω@10V,500mA 380mW 2V@250uA null SOT-363 MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 300mA |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 1.5Ω@10V, 500mA |
Drain Source Voltage (Vdss) | 60V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | 30.5pF |
Power Dissipation (Pd) | 200mW |
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 4.1pF |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 1.12nC |
Type | 2 N-Channel |
Continuous Drain Current (Id) @ 25°C | 115mA(Tc) |
Manufacturer | LRC |
Package / Case | SC-88 |
Packaging | Tape и Reel(TR) |
Power Dissipation-Max (Ta=25°C) | 380mW |
Rds On - Drain-Source Resistance | 7.5Ω 500mA, 10V |
Transistor Polarity | 2 N Channel(Double) |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | -60V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 2V 250uA |
Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet L2N7002DW1T1G
pdf, 570 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.