L2N7002DW1T1G, 60V 115mA 7.5-@10V,500mA 380mW 2V@250uA 2 N-Channel SC-88 MOSFETs

29820 шт., срок 7 недель
11 руб.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт.7 руб.
от 600 шт.4.80 руб.
от 3000 шт.4.10 руб.
Добавить в корзину 20 шт. на сумму 220 руб.
Номенклатурный номер: 8015771372
Артикул: L2N7002DW1T1G
Бренд: Leshan Radio Co

Описание

60V 115mA 7.5Ω@10V,500mA 380mW 2V@250uA null SOT-363 MOSFETs ROHS

Технические параметры

Continuous Drain Current (Id) 300mA
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 1.5Ω@10V, 500mA
Drain Source Voltage (Vdss) 60V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 1.5V@250uA
Input Capacitance (Ciss@Vds) 30.5pF
Power Dissipation (Pd) 200mW
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) 4.1pF
Total Gate Charge (Qg@Vgs) 1.12nC
Type 2 N-Channel
Continuous Drain Current (Id) @ 25°C 115mA(Tc)
Manufacturer LRC
Package / Case SC-88
Packaging Tape и Reel(TR)
Power Dissipation-Max (Ta=25°C) 380mW
Rds On - Drain-Source Resistance 7.5Ω 500mA, 10V
Transistor Polarity 2 N Channel(Double)
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage -60V
Vgs - Gate-Source Voltage 2V 250uA
Вес, г 0.05

Техническая документация

Datasheet L2N7002DW1T1G
pdf, 570 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.