KTA1666-Y, 100nA 50V 500mW 120@500mA,2V 2A 120MHz 500mV@1A,50mA PNP +150-@(Tj) SOT-89 Bipolar Transistors - BJT

280 шт., срок 7 недель
19 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт.12 руб.
Добавить в корзину 10 шт. на сумму 190 руб.
Номенклатурный номер: 8015758338
Артикул: KTA1666-Y

Описание

50V 500mW 120@500mA,2V 2A PNP SOT-89-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS

Технические параметры

Collector Current (Ic) 2A
Collector Cut-Off Current (Icbo) 100nA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 50V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 500mV@1A, 50mA
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 70@500mA, 2V
Operating Temperature -
Power Dissipation (Pd) 500mW
Transistor Type -
Transition Frequency (fT) 120MHz
Collector-Emitter Breakdown Voltage 50V
Maximum DC Collector Current 2A
Pd - Power Dissipation 1W
Вес, г 21

Техническая документация

Datasheet KTA1666-Y
pdf, 700 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.