KTA1666-Y, 100nA 50V 500mW 120@500mA,2V 2A 120MHz 500mV@1A,50mA PNP +150-@(Tj) SOT-89 Bipolar Transistors - BJT
280 шт., срок 7 недель
19 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
12 руб.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 190 руб.
Описание
50V 500mW 120@500mA,2V 2A PNP SOT-89-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 2A |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@1A, 50mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 70@500mA, 2V |
Operating Temperature | - |
Power Dissipation (Pd) | 500mW |
Transistor Type | - |
Transition Frequency (fT) | 120MHz |
Collector-Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Maximum DC Collector Current | 2A |
Pd - Power Dissipation | 1W |
Вес, г | 21 |
Техническая документация
Datasheet KTA1666-Y
pdf, 700 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.