L8550QLT1G, 150nA 25V 225mW 800mA 500mV@800mA,80mA PNP -55-~+150-@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT
30380 шт., срок 7 недель
5 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
4 руб.
от 300 шт. —
2.90 руб.
от 3000 шт. —
1.98 руб.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 50 руб.
Описание
25V 225mW 800mA PNP SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 800mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 150nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 25V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@800mA, 80mA |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 225mW |
| Transistor Type | PNP |
| Transition Frequency (fT) | - |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 25V |
| Manufacturer | LRC |
| Maximum DC Collector Current | 800mA |
| Package / Case | SOT-23(SOT-23-3) |
| Packaging | Tape и Reel(TR) |
| Pd - Power Dissipation | 225mW |
| Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet L8550QLT1G
pdf, 202 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
