2SD669A, 10uA 160V 1W 60@150mA,5V 1.5A 140MHz 1V@500mA,50mA NPN +150-@(Tj) TO-126F Bipolar Transistors - BJT
640 шт., срок 7 недель
35 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
22 руб.
от 150 шт. —
18 руб.
от 500 шт. —
15.28 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 175 руб.
Описание
160V 1W 60@150mA,5V 1.5A NPN TO-126F Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 1.5A |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 10uA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 160V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 1V@500mA, 50mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@150mA, 5V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 1W |
| Transistor Type | NPN |
| Transition Frequency (fT) | 140MHz |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 160V |
| Maximum DC Collector Current | 1.5A |
| Pd - Power Dissipation | 1W |
| Вес, г | 0.83 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1131 КБ
Datasheet 2SD669A
pdf, 110 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
