AO3415-SOT23, 20V 4A 55m-@4.5V,4A 1.4W 1V@250uA P Channel SOT-23 MOSFETs
740 шт., срок 7 недель
21 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
13 руб.
от 300 шт. —
11 руб.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 210 руб.
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 4A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 55mΩ@4.5V, 4A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
| Power Dissipation (Pd) | 1.4W |
| Type | P Channel |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 4A |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 1.4W |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 55mО© @ 4A,4.5V |
| Transistor Polarity | P Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 1V @ 250uA |
| Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet AO3415-SOT23
pdf, 607 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
