LBC847BTT1G, 15nA 45V 200mW 290@2mA,5V 100mA 100MHz 600mV@100mA,5mA NPN -55-~+150-@(Tj) SC-89 Bipolar Transistors - BJT
40 шт., срок 7 недель
10 руб.
Кратность заказа 20 шт.
Добавить в корзину 20 шт.
на сумму 200 руб.
Описание
45V 200mW 290@2mA,5V 100mA NPN SC-89 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 100mA |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 15nA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 45V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 600mV@100mA, 5mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 290@2mA, 5V |
Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | 200mW |
Transistor Type | NPN |
Transition Frequency (fT) | 100MHz |
Collector-Emitter Breakdown Voltage | 45V |
Manufacturer | LRC |
Maximum DC Collector Current | 100mA |
Package / Case | SC-89 |
Packaging | Tape и Reel(TR) |
Pd - Power Dissipation | 200mW |
Вес, г | 0.02 |
Техническая документация
Datasheet LBC847BTT1G
pdf, 139 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.