8050M-D, 100nA 25V 625mW 160@100mA,1V 1.5A 190MHz 280mV@800mA,80mA NPN +150-@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT
38050 шт., срок 7 недель
4 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
3 руб.
от 3000 шт. —
1.70 руб.
от 6000 шт. —
1.59 руб.
Добавить в корзину 50 шт.
на сумму 200 руб.
Описание
25V 625mW 160@100mA,1V 1.5A NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 800mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 25V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 280mV@500mA, 50mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 160@100mA, 1V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 450mW |
| Transistor Type | NPN |
| Transition Frequency (fT) | 190MHz |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 25V |
| Maximum DC Collector Current | 1.5A |
| Pd - Power Dissipation | 625mW |
| Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet 8050M-C
pdf, 761 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
